Toshiba y SanDisk quieren ir más lejos con memoria 3D NAND de 48 capas

Toshiba y SanDisk quieren ir más lejos con memoria 3D NAND de 48 capas
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Samsung fue el primero que trajo memoria 3D NAND al mercado consumidor. Intel y Micron acaban de anunciar que planean hacerlo para principios del 2016. Los que tampoco quieren quedarse fuera de esta carrera son Toshiba y SanDisk.

La manera con la que ambas compañías buscan competir con memoria 3D NAND es con un diseño llamado BiCS (Bit Cost Scaling), el cual ha sido catalogado como "la primera estructura de memoria MLC (dos bits por celda) de 48 capas con capacidad de 128Gb (16GB)".

Como era de esperarse, todavía no hay muchos detalles sobre la memoria 3D NAND BiCS. Lo que si sabemos es que la tecnología es de segunda generación y que la estructura no utiliza compuertas flotantes como sucede con el diseño V-NAND de Samsung o el de Intel y Micron. En su lugar se basa en trampas de carga hechas de material aislante para reducir la pérdidas de electrones.

Toshiba Bics Estructura

El Dr. Siva Sivaram, Vice Presidente Ejecutivo, para tecnología de memoria, en SanDisk, explica:

"Estamos muy orgullosos de anunciar nuestra segunda generación de memoria 3D NAND, la cual una arquitectura de 48 capas desarrollada con nuestro socio Toshiba."

"Utilizamos nuestra primera generación de tecnología 3D NAND como un vechículo de aprendizaje, para permitirnos desarrollar nuestra segunda generación comercial de 3D NAND, la cual creemos que entregar soluciones de almacenamiento competitivas para nuestros clientes."

Otro dato que tampoco ha sido confirmado del todo, es el nodo que se usará para su fabricación. Pero hay motivos para creer que Toshiba se apoyara de nodos más viejos de 30nm, 40nm o hasta 50nm. Esta sería la manera con la que podrían asegurar mayor durabilidad, rendimiento, al mismo tiempo que reducen costos.

Toshiba Sandisk Bics 3dnand

Disponibilidad, precio

En el caso de la memoria 3D NAND BiCS todavía no se tiene una fecha exacta de cuándo llegará al mercado. Primero deberá que completarse la construcción de las nuevas instalaciones Fab 2 en la planta Yokkaichi Operations, de Toshiba, lo cual se tiene programado para la primera mitad del 2016.

Una vez iniciada la producción en masa, es de esperarse que la memoria comienza a abrirse paso con fabricantes de SSDs como es el caso de OCZ, quien como sabemos ahora es una subsidiaria de Toshiba.

Más información | Toshiba

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