En el competitivo mundo de la fabricación de semiconductores, Huawei y SMIC están trazando un nuevo camino hacia la innovación. Según una publicación de Bloomberg, una patente recientemente registrada ha revelado su estrategia conjunta para el desarrollo de chips de 5 nm, un hito en la colaboración entre estas dos potencias tecnológicas chinas para maquinaria necesaria para fabricar semiconductores.
Con la producción del procesador Kirin 9000S de 7 nm, Huawei integró la innovación de SMIC en el Mate 60 Pro. Ahora, SMIC está preparando nuevas líneas de producción en Shanghái para los circuitos integrados de 5 nm que serán el corazón del próximo teléfono insignia de Huawei.
SMIC avanza en la carrera de la litografía con su nodo de 5 nm y la apuesta por la UVE
Aunque todavía no está al nivel de gigantes como TSMC o Samsung en cuanto a tecnologías de integración, su reciente desarrollo de un nodo litográfico de 5 nm representa un avance considerable. Eso sí, su logro no es totalmente propio. Para la producción de dicho chipset, SMIC tuvo que utilizar equipos de Applied Materials y Lam Research, tecnología prohibida por Estados Unidos.
No obstante, Huawei y SMIC tienen una nueva estrategia: litografía ultravioleta extrema (UVE), tecnología puntera ampliamente utilizada en la fabricación de semiconductores de alta eficiencia. Con este enfoque a largo plazo, SMIC no solo busca alcanzar a los líderes del sector, sino también fortalecer su posición en el mercado global de semiconductores.
Huawei y SMIC están trabajando en la fabricación de semiconductores con su tecnología Self-Aligned Quadruple Patterning (SAQP). Este innovador método es clave para producir chips de 5 nm, aprovechando las máquinas de litografía de ultravioleta profundo (UVP) de ASML. SAQP permite superar los obstáculos que antes limitaban esta técnica, abriendo un nuevo horizonte en la miniaturización de chips.
A menor tamaño, mayor eficiencia energética y rendimiento
A través del multiple patterning, SMIC ha demostrado que es posible alcanzar una resolución más alta en la transferencia de patrones a la oblea, aunque esto pueda influir en el coste y la capacidad de producción.
Por ahora, el desafío es optimizar el rendimiento por oblea y el coste de cada chip. Aunque es probable que estos parámetros no sean ideales inicialmente, la determinación de SMIC y Huawei por innovar promete mejorarlos con el tiempo.
En definitiva se trata de un multiple patterning más agresivo y sofisticado que el utilizado para fabricar el SoC Kirin 9000S, pero es evidente que SMIC por el momento no tiene otra opción si quiere producir los semiconductores avanzados que demanda Huawei.
La industria de semiconductores está a la expectativa de los resultados que SMIC logrará con su nodo de 5 nm, tanto en rendimiento por oblea como en el coste de producción por chip. Aunque es probable que estos parámetros no alcancen los valores ideales en las primeras etapas, el potencial de mejora y optimización es un punto focal para la empresa y el mercado.
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