Si bien los nuevos iPad Pro de 10.5 y 12.9 pulgadas son dispositivos móviles que alcanzan los 512 GB de almacenamiento interno, esta ingente cantidad de memoria no se ha visto en los smartphones. Pues bien, esto está a punto de cambiar gracias a Samsung.
El titán surcoreano ha anunciado la producción en masa de su nuevo chip de memoria flash (eUFS) que trae consigo 512 GB de almacenamiento. Se trata del primer semiconductor de su tipo en el mundo, y dobla la máxima capacidad de almacenamiento interno hasta ahora vista en un smartphone.
Una memoria de esta capacidad necesita velocidades de lectura y escritura acordes a su capacidad, es por eso que Samsung ha logrado marcas de hasta 860 MB/s y 255 MB/s, respectivamente. Esto se traduce en un tiempo de 6 segundos en la transferencia de un archivo de 5 GB, ocho veces más rápido que las tarjeta microSD convencionales.
Galaxy S9 con hasta 512 GB de almacenamiento interno
Por supuesto, Samsung promete que esta nueva tecnología será vista por primera vez en sus dispositivos de nueva generación. Entonces, las especulaciones apuntan directamente a que el Galaxy S9 llegará con esta capacidad de almacenamiento. No de manera estándar, pero sí como una opción para quien quiera más espacio en su móvil.
Aparte de esto, se rumorea que el próximo estandarte de la familia Galaxy S tendrá nueva tecnología de reconocimiento facial 3D, doble cámara trasera al menos para el modelo Plus, y un diseño renovado con mayor aprovechamiento de frontal.
El Galaxy S9 haría una primera aparición mundial en el CES 2018 de Las Vegas. En cuanto a más smartphones con la monstruosa cantidad de memoria, seguramente en el transcurso del próximo año veremos más sorpresas.
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